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陶瓷基板的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列特價商品、必買資訊和推薦清單
陶瓷基板的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦（日）菅沼克昭寫的 SiC/GaN功率半導體封裝和可靠性評估技術 和劉如熹的 白光發光二極體製作技術：由晶粒金屬化至封裝(第二版)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站台灣現貨氮化鋁基板陶瓷基板ALN基板1片4吋 - 蝦皮購物也說明：氮化鋁基板(AlN) 特點： （1） 熱導率高，是氧化鋁陶瓷的5倍以上（2） 較低的熱膨脹係數，且與矽晶片接近（3） 較低的介電常數（4） 優良的絕緣性能（5） 優異的機械 ...
這兩本書分別來自機械工業出版社 和全華圖書所出版 。
國立陽明交通大學 工學院半導體材料與製程設備學程 陳軍華所指導 賴冠彣的 單步驟製備奈米銀修飾Co3O4氣體感測材料 （2021），提出陶瓷基板關鍵因素是什麼，來自於金屬氧化物、氣體感測器、點膠機、奈米銀。
而第二篇論文國立虎尾科技大學 自動化工程系碩士班 陳俊仁所指導 王柏翔的 整合閃頻控制器與面掃描相機於陶瓷基板表面瑕疵檢測 （2021），提出因為有 面掃描相機、自動光學檢測、表面瑕疵檢測、外部觸發、影像拼接的重點而找出了 陶瓷基板的解答。
最後網站半導體陶瓷基板簡介與超音波加工可克服的加工困境 - Hantop ...則補充：陶瓷基板 (ceramic substrate)為銅箔在高溫下直接接合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面上的特殊工藝板。製成的超薄複合基板具有優良電絕緣性能， ...
SiC/GaN功率半導體封裝和可靠性評估技術
為了解決陶瓷基板 的問題，作者（日）菅沼克昭 這樣論述：
本書重點介紹全球功率半導體行業發展潮流中的寬禁帶功率半導體封裝的基本原理和器件可靠性評價技術。書中以封裝為核心，由熟悉各個領域前沿的專家詳細解釋當前的狀況和問題。 主要章節為寬禁帶功率半導體的現狀和封裝、模組結構和可靠性問題、引線鍵合技術、晶片貼裝技術、模塑樹脂技術、絕緣基板技術、冷卻散熱技術、可靠性評估和檢查技術等。儘管極端環境中的材料退化機制尚未明晰，書中還是總結設計了新的封裝材料和結構設計，以儘量闡明未來的發展方向。 本書對於我國寬禁帶（國內也稱為第三代）半導體產業的發展有積極意義，適合相關的器件設計、工藝設備、應用、產業規劃和投資領域人士閱讀。 序 原書前
言 作者名單 第1章緒言 1.1電力變換和功率半導體 1.2功率半導體封裝及可靠性問題 參考文獻 第2章寬禁帶半導體功率器件的現狀與封裝 2.1電力電子學的概念 2.2寬禁帶半導體的特性和功率器件 2.3功率器件的性能指數 2.4其他寬禁帶半導體功率器件的現狀 2.5寬禁帶半導體封裝技術的挑戰 參考文獻 第3章SiC/GaN功率半導體的發展 3.1SiC和GaN功率器件的概念 3.2SiC器件的特徵（低導通電阻、高溫、高速運行） 3.3SiC肖特基勢壘二極體 3.4SiC電晶體 3.5SiC模組 3.6GaN功率器件的特徵 3.7GaN功率器件的特性 3.8GaN功率器件的應用 參考文獻
第4章引線鍵合技術 4.1引線鍵合技術的概念 4.2引線鍵合的種類 4.2.1引線鍵合方法 4.2.2鍵合機制 4.3引線鍵合處的可靠性 4.3.1功率模組疲勞破壞 4.3.2鍵合處的破壞現象 4.3.3鍵合處的裂紋擴展 4.3.4影響接頭破壞的因素 4.4鍵合線材料 4.4.1鋁合金線 4.4.2銅鍵合線 4.4.3銀和鎳材料作為鍵合線的適用性評估 4.4.4包層引線 4.5替代引線鍵合的其他連接技術 4.5.1鋁帶連接4.5.2引線框焊接 4.6結論 參考文獻 第5章晶片貼裝技術 5.1晶片貼裝 5.2無鉛高溫焊料 5.3TLP鍵合 5.4金屬燒結鍵合 5.5固相鍵合和應力遷移鍵合
5.6空洞 5.7未來展望 參考文獻 第6章模塑樹脂技術 6.1半導體封裝的概念 6.2功率模組結構和適用材料 6.2.1殼裝型功率模組 6.2.2模塑型 6.2.3功率模組封裝的演變 6.3密封材料的特性要求 6.3.1絕緣性 6.3.2低熱應力 6.3.3黏附性 6.3.4抗氧化性 6.3.5高散熱 6.3.6流動性和成型性 6.3.7耐濕性和可靠性測試 6.4高耐熱技術的發展現狀 6.4.1高耐熱矽酮樹脂 6.4.2高耐熱環氧樹脂 6.4.3熱固性醯亞胺樹脂 6.4.4高耐熱納米複合材料 參考文獻 第7章基板技術 7.1功率模組的演變和適用基板 7.2基板概要 7.2.1基板種類和分
類 7.2.2陶瓷基板 7.2.3金屬基底基板 7.3散熱板/金屬陶瓷複合材料 7.4SiC/GaN功率半導體基板的特性要求 7.5未來基板技術趨勢 參考文獻 第8章散熱技術 8.1散熱（冷卻）技術的概念 8.2SiC/GaN功率半導體的特性以及與其散熱相關的問題 8.2.1高溫工況的應對方法 8.2.2針對發熱密度增加的應對方法 8.3電氣和電子設備的散熱技術基礎 8.4功率半導體散熱應考慮的要求 8.5下一代功率半導體的散熱理念 8.6有望應用於寬禁帶半導體的散熱技術 8.6.1導熱路徑的進步：直冷式冷卻器 8.6.2散熱結構的進步：雙面散熱模型 8.6.3熱傳導的進步：液體冷卻用高性能
翅片 8.7導熱介面材料 8.7.1導熱介面材料的概念 8.7.2下一代半導體的導熱介面材料 8.7.3TIM所需的特性和問題 8.7.4高熱導率填料系統 8.8實現高溫工況 參考文獻 第9章可靠性評估/檢查技術 9.1功率半導體可靠性試驗 9.2典型環境試驗 9.2.1存儲試驗（高溫低溫） 9.2.2存儲試驗（高溫高濕） 9.2.3溫度迴圈試驗 9.2.4高溫工作壽命試驗（高溫反偏試驗） 9.2.5高溫高濕反偏壽命試驗 9.3其他環境試驗 9.3.1低壓試驗 9.3.2鹽霧試驗 9.3.3加濕+封裝應力系列試驗 9.4功率迴圈試驗 9.4.1功率迴圈試驗的種類 9.4.2功率迴圈試驗的載入
方式 9.4.3熱阻 9.4.4試驗裝置所需的性能規格 9.5功率器件可靠性試驗的檢查方法 9.5.1X射線透射分析 9.5.2超聲成像系統 9.5.3橫截面觀察 9.5.4鎖相紅外熱分析 9.6材料熱阻的評估 9.6.1包括介面熱阻的導熱特性（有效熱導率） 9.6.2熱特性評估系統的配置和測量原理 9.6.3熱性能測量示例 9.7小結參考文獻 220章編後記 參考文獻
單步驟製備奈米銀修飾Co3O4氣體感測材料
為了解決陶瓷基板 的問題，作者賴冠彣 這樣論述：
本研究主要目標在於開發適用於點膠機滴鍍技術之Ag奈米粒子修飾Co3O4奈米球體，以作為氣體感測應用。本研究以乙二醇法合成法為基礎，使用乙醯丙酮鈷(Co(acac)2)、聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone, PVP)軟模板，合成Co3O4奈米球體之前趨構造物。合成所得之Co3O4奈米球體前趨構造物再經由500°C高溫煆燒即可獲得Co3O4奈米球體。然而，由於高溫煆燒導致Co3O4奈米球體燒結或團聚，從而不易重新分散為獨立球體，進而使得點膠機出膠針頭阻塞。故本研究有別於通常之煆燒、分散、滴鍍之製程順序，先行進行Co3O4奈米球體前趨構造物之滴鍍，而後於陶瓷基板上進行最後高
溫煆燒以形成Co3O4奈米球體。此外，為了改善氣體感測特性，本研究於合成Co3O4奈米球體之前趨構造物時，即同步添加不同總量(3、6、9、12 wt%)、預先合成之Ag奈米粒子以作為觸媒，用以成功合成一系列Ag奈米粒子修飾之Co3O4奈米球體之前趨構造物。最後將前趨構造物直接滴鍍於基板上進行煅燒，生成Ag奈米粒子修飾Co3O4奈米球體，以作為氣體感測應用。從EDX分析可知Ag奈米粒子均勻地散佈於Co3O4奈米球體之上。在氣體感測特性評估方面，在濃度500 ppm CO氣體下，感測工作溫度從80°C測試至140°C，以每10°C為一間距做為。結果發現，CO感測溫度從無Ag奈米粒子修飾之150°C
降至有Ag奈米粒子修飾之120°C，且與傳統製程之工作溫度相當。所開發之合成之Ag奈米粒子修飾之Co3O4奈米球體及其相關合成技術，未來可延伸應用於不同感測材料之合成，並提供更多元的感應元件生產方式。關鍵字：金屬氧化物、氣體感測器、點膠機、奈米銀
白光發光二極體製作技術：由晶粒金屬化至封裝(第二版)
為了解決陶瓷基板 的問題，作者劉如熹 這樣論述：
發光二極體(LightEmittingDiode;LED)為台灣光電產業中最具競爭力的產品之一。台灣目前已成為全球可見光LED下游封裝產品最大供應中心，高亮度LED也已進入世界排名，全球競爭力大幅提升。台灣LED中下游的晶粒切割、封裝和應用產業結構完整，上游磊晶片的研發、生產也在快速成長中，將具有成為全球第一大LED生產國的實力。 本書乃由國內、日本及香港之研發專家親自撰寫由磊晶與金屬化製作技術、封裝材料(含螢光粉、膠材與散熱基材)至應用之白光LED相關知識。全文內容豐富扎實，詳細閱讀必能對白光LED製作技術與應用有更深一層的認識。
整合閃頻控制器與面掃描相機於陶瓷基板表面瑕疵檢測
為了解決陶瓷基板 的問題，作者王柏翔 這樣論述：
本研究檢測的陶瓷基板是一種脆弱的待測物，而本系統為非接觸式量測，可避免物件的表面磨損或破損的情況發生，若以人工方式檢測容易產生人為造成的損傷，嚴重則會毀損陶瓷基板，反而增加陶瓷基板的瑕疵。利用自動光學檢測的應用逐漸普及，本研究以面掃描相機為架構，在高精度的取像下，由於解析度高而可視範圍縮小，整體的檢測速度被限制。因此本研究將針對面掃描相機應用在陶瓷基板檢測中，克服相機取像時間過長的問題，開發一套應用外部觸發面掃描相機與閃頻器控制光源於陶瓷基板表面瑕疵的檢測系統。此陶瓷基板表面瑕疵檢測系統是以XYZ三軸移動平台，結合工業用高解析度面掃描相機與遠心鏡頭，相機解析度為3.45 μm，視野範圍(Fi
eld of View, FOV)為14.1 mm ×10.3 mm，再搭配0.5倍遠心鏡頭後，視野範圍變為28.2 mm × 20.6 mm。利用閃頻控制器控制高亮度低角度環形LED光源拍攝大小為128 mm × 128 mm與180 mm × 139 mm的陶瓷基板。透過影像處理軟體Halcon對拍攝的影像做處理，再利用灰階演算法將拍攝的影像做拼接，以利於陶瓷基板影像方便觀察缺陷位置。相機接收來自三軸控制平台的訊號並且與光源做延遲100 ms的觸發，本系統為硬體觸發，在三軸平台移動時，相機與閃頻控制器接收到來自平台的觸發訊號，使相機做拍攝取像並且閃頻控制器控制LED(light-emitt
ing diode)光源在定點做光源的開關。 本研究以光學式非接觸量測的方式，透過拼接演算檢測大尺寸待測物，利用閃頻控制器在觸發的瞬間突破光源的額定電流，使光源輸出至極限以補強相機的曝光時間，使用多執行續的方式，將影像拍攝、影像處理以及影像拼接三者同時進行，大幅減少整體的檢測時間，5吋陶瓷基板檢測結果誤判率為2.3 %，5 × 7吋陶瓷基板檢測結果誤判率為2.1 %。