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國立勤益科技大學 機械工程系 蔡明義所指導 黃柏崗的 應用於單晶碳化矽之綠色環保 光催化機械拋光技術研究 （2021），提出surface保固關鍵因素是什麼，來自於單晶碳化矽、化學機械拋光、光催化輔助、二氧化鈦。

而第二篇論文國立勤益科技大學 化工與材料工程系 邱維銘所指導 蔡瑞文的 氮摻雜二氧化鈦應用於化學機械研磨之研究 （2020），提出因為有 氮摻雜、二氧化鈦、化學機械研磨的重點而找出了 surface保固的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了surface保固，大家也想知道這些：

應用於單晶碳化矽之綠色環保 光催化機械拋光技術研究

為了解決surface保固的問題，作者黃柏崗 這樣論述：

本研究提出應用於單晶碳化矽之綠色環保光催化輔助機械拋光技術，以解決高度汙染環境之高錳酸拋光液。透過自行調製之創新電漿改質及金屬改質二氧化鈦光觸媒粉體技術/搭配拋光液並架設(光照強度5000~6000µm/cm2) 365 nm波長高聚焦射柱UV紫外光輔助裝置，進行4吋單晶碳化矽拋光實驗。另外自製UV-LED紫外光裝置及功率控制之設計，具有可調整照射距離及可控功率提高紫外光強度與防止散射、縮減放置體積、提升光催化輔助效率之特點。實驗發現隨著二氧化鈦能隙降低能夠提高紫外光之吸收率，促進電子電洞對快速流動，藉以提升拋光效率。拋光液酸鹼值偏中性時，材料去除率較低，而拋光液酸鹼值弱鹼(PH 8-9)時

，材料去除率較高。實驗亦發現單晶碳化矽(4吋)Si面材料移除率為2.45µm/hr，最佳表面粗糙度為0. 45 nm。實驗亦發現最佳製程參數為金屬改質二氧化鈦搭配弱鹼性二氧化矽拋光液、光觸媒粉末重量百分比2.5%。

氮摻雜二氧化鈦應用於化學機械研磨之研究

為了解決surface保固的問題，作者蔡瑞文 這樣論述：

本研究期望利用電漿增強化學氣相沉積(PECVD)法對商用奈米級二氧化鈦(P25)表面進行氮摻雜，藉此提高光催化效果，並應用到化學機械研磨製程中。本研究分成兩階段，第一階段為比較不同電漿改質功率下，對於P25的各項性質影響，在外觀分析下，改質功率越高其外觀顏色越黃。進行微觀的SEM分析，可以看到PECVD法不會對氮摻雜P25的外觀有物理性的破壞。在FTIR分析中，氮摻雜改質過的P25在1440cm-1處皆有出現N-H的彎曲震動峰，表示有成功對P25表面進行氮摻雜。在拉曼分析中可以看到氮摻雜前後的P25都出現銳鈦礦的訊號，表示使用PECVD法不會改變原本P25的晶相。在DRS分析和亞甲基藍光效率

降解分析裡，分別證明氮摻雜後的P25光催化效果會隨著功率的提升，使其光降解效果越好。第二階段分別將不同電漿改質功率下製備出的氮摻雜P25添入市售的研磨液中，進行CMP後對碳化矽治具的影響，從表面形貌和粗糙度分析中可以看到隨著改質功率的提高，其研磨後的表面越粗糙；在材料移除率分析中其數值也是隨著改質功率的提高，而隨之提高。

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