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Arduino C語言程式設計 - 使用mBot金屬積木機器人 - 最新版

為了解決c陣列的問題，作者iTRY愛創機器人實驗室,李春雄,柳家祥 這樣論述：

　　本書利用 Adruino C 語言軟體來開發一套可以充份發揮學生「想像力」及「創造力」的快速開發教材，其主要的特色如下：         　　1.親自動手「組裝」，訓練學生「觀察力」與「空間轉換」能力。         　　2.親自撰寫「程式」，訓練學生「專注力」與「邏輯思考」能力。         　　3.親自實際「測試」，訓練學生「驗證力」與「問題解決」能力。                   

c陣列進入發燒排行的影片

相容於邏輯製程之淺溝槽絕緣邊界電阻式記憶體

為了解決c陣列的問題，作者廖矩鋒 這樣論述：

在未來，物聯網將實現世界數位化，所有物品將以網路連線，人類的生活方式將徹底改變。隨著智慧手持產品起飛，產品均以輕薄短小為發展趨勢，而PIM(Process-in-Memory, PIM)技術最具代表性，其為把記憶體嵌入至中央處理去中，一方面可大幅提升處理速度，也減少電力消耗，PIM技術將成為打開物聯網與巨量分析時代大門之鑰，但龐大的資料必須要有相對應的儲存媒介當作資料的運轉與儲存使用。目前市面上的非揮發性記憶體皆屬於電荷儲存式的快閃記憶體，但隨著半導體的製程微縮，浮動閘極中儲存的電荷會越來越少，代表處存與否之狀態會越來越接近，如果快閃記憶體達到物理極限便無法正常運作。因此，新穎非揮發性記憶體

開發格外重要。 本論文以40奈米互補式金氧半邏輯製成實現一淺溝槽絕緣電阻式記憶體(Shallow Trench Isolation Sidewall Resistive Random Access Memory ,STI Sidewall Edge RRAM)，此記憶體在製程上無需額外光罩且最小記憶單元佈局面積極小。STI Sidewall Edge RRAM控制轉換厚度簡單且可精準，且此元件變異將隨著製程微縮變得更小，此記憶體在直流掃描(DC Sweep)與交流脈衝(AC pulse)操作中具有低功率消耗且高速操作特性，利用ISPP演算法可使記憶單元耐久度達一百萬次設置/重置循環測試，

儲存資料以150oC高溫連續烘烤可穩定保存資料超過一百萬秒，最後以連續一萬秒讀取測試不管是高阻態或是低阻態並部會資料失真，可知STI Sidewall Edge RRAM既有良好的操作特性也含良好的資料保存能力。