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平板式增濕器之薄膜物理性質及熱質傳實驗研究

為了解決becker真空泵的問題，作者張祐瑄 這樣論述：

本論文以實驗量測方式，探討薄膜物理性質對平板式增濕器之熱質傳特性及增濕效能影響。以空氣通透率及水蒸氣通透率之物理性質指標，作為評估薄膜器之增濕適用性，同時以露點接近溫度、壓力損失、水通量、水回收率、空氣泵功及性能係數等分析作為評估搭配不同薄膜之平板式增濕器性能的指標。實驗可分為三部分，第一部分，先進行多種薄膜之空氣通透率量測，實驗結果顯示，在相同真空度之站空壓力下RO、Nafion及PV三種薄膜之滲透空氣量較低，符合平板式增濕器所需阻氣透水之薄膜性質。第二部分，實驗針對RO、Nafion及PV三種薄膜進行水蒸氣通透率量測，結果顯示，空氣通透率越低之薄膜，亦具有較低之水蒸氣通透率。第三部分，分

別將RO、Nafion及PV薄膜組裝於平板式增濕器內並進行增濕性能測試，實驗結果顯示，Nafion薄膜有最低之露點接近溫度，其水通量、水回收率則隨著露點接近溫度降低而提升，而PV薄膜則有最低之壓力損失，其壓力損失越低則空氣泵功隨之降低、性能係數則相對提升。

以分子束磊晶法於純銅基板上製備氧化亞銅磊晶及其特性分析的研究

為了解決becker真空泵的問題，作者葉修宏 這樣論述：

本實驗以分子束磊晶法於純銅基板上成長氧化亞銅磊晶，探討成長溫度、氧氣壓力以及氧氣電漿功率，對於氧化亞銅磊晶成長與表面形貌的影響。第一階段實驗使用多晶銅基板，透過X光繞射、電子背向散射繞射儀、穿透式電子顯微鏡、掃描式電子顯微鏡和X光光電子能譜，分析所成長薄膜的晶體結構、結晶方位、表面形貌和成分組成。實驗結果發現，在300 – 650 oC之間成長的薄膜均成功成長氧化亞銅，且無氧化銅存在。在低溫（300 oC）下磊晶成長被抑制，導致在不同方位的基板晶粒上，均成長為多晶薄膜。當基板溫度逐漸上升至600 oC以上時，方位為//ND與//ND的基板晶粒上，氧化亞銅可以磊晶方式成長。除了溫度之外，磊晶成

長現象僅存在於特定的氧氣壓力與氧氣電漿功率區間，在高氧氣電漿功率（300 W）之下，磊晶成長出現在低氧分壓（5 x 10-6 mbar）之下。氧氣電漿功率降至100 – 200 W時，磊晶成長出現在氧分壓為1 x 10-5 mbar之下。此外，基板晶粒的方位也會影響磊晶成長，在//ND與//ND的基板晶粒上容許磊晶以cube-on-cube的方位關係成長，而//ND的磊晶則未發現。以前述條件在(111)單晶銅基板上成長(111)氧化亞銅磊晶，但是出現雙晶（/60o）的變量，意即有兩組互為雙晶關係的磊晶同時成長於基板表面。電子背向散射繞射分析顯示這兩組雙晶變量呈現條狀交錯分布於基板表面，顯示磊晶

係以島狀模式成長。由反射光譜計算得知(111)的氧化亞銅磊晶的能隙值為2.02 eV，室溫光致螢光光譜的結果顯示磊晶於1.6 - 1.8 eV處產生非常強的近能隙發光峰，且沒有多餘深層能階的發光峰存在。