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The Organised Mum Method Journal: Sort Your Life Out One Day at a Time

為了解決Mins的問題，作者Bray, Gemma 這樣論述：

Gemma Bray created The Organised Mum Method (TOMM) 13 years ago when her first baby was born. Overwhelmed as a new mother her anxiety manifested itself as over-cleaning and she soon found herself cleaning for hours each day. Determined to stop cleaning from taking over her life she sat at her kitche

n table and developed a method that took only 30 mins each day, she freed herself from the never-ending to-do list in her head and created a method that gave her cleaning free weekends. In September 2019 Gemma published her first book The Organised Mum Method: Transform Your Home in 30 Minutes a Day

which was an instant Sunday Times bestseller. You can find Gemma on Instagram (@the_organised_mum); Facebook (@theorganisedmumUK; and YouTube (The Organised Mum).

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環境友善還原之石墨烯應用於電容去離子技術

為了解決Mins的問題，作者涂仲緯 這樣論述：

電容去離子(Capacitive Deionization, CDI)是一種低耗能且無二次污染的脫鹽技術，透過施加低電壓使水溶液中的離子去除，不同的材料會因其性質而對水溶液中的陰陽離子有不同的去除效果。本研究中，比較聚苯胺/顆粒活性碳(PANI/GAC)在不同配比上，以及不同還原程度和還原方法的石墨烯(rGO)中，對於相同濃度氯化鈉的去除效果的影響，探討CDI系統對氯離子及鈉離子之電吸附情形。 PANI比例越高，導致PANI/GAC比表面積降低，但比電容值可提高，但由於比表面積損失過多，導致添加較低比例的PANI/GAC有較好的離子電吸附量；摻雜酸提高有助於提升離子的去除效果，摻雜酸高

的PANI/GAC對鈉離子有較好的吸附選擇性。PANI/GAC 20% (H)為去除效果最佳的配比，PANI/GAC 20% (H)對氯離子及鈉離子的平均電吸附量分別為84.9 μmol Cl-/g和98.2 μmol Na+/g，雖然PANI/GAC 20% (H)對氯離子的電吸附量低於GAC (91.8 μmol Cl-/g)，但對鈉離子的電吸附量高於GAC (83.9 μmol Na+/g) 1.2倍。 比較不同還原程度的石墨烯(rGO)，發現利用L-抗壞血酸(L-AA)的綠色化學還原法(Chemical reduction)劑量的添加需高於GO量的1倍以上，rGO還原程度才能較好

，而低溫熱還原法(Thermal reduction)的還原程度雖然更高，但只能還原大部分的不穩定氧官能基，因此結合前兩種的還原方式，更能提升還原效果，稱為多相還原法(Multiphase reduction)；在熱還原過程中通入不同氣體還原，分別為空氣、氮氣混空氣或氮氣，TA-rGO對於離子電吸附的效果也不同。rGO因表面官能基的影響，對於鈉離子有較好的電吸附效果，但由於rGO脫附效果較差，因此比較反轉電壓脫附時間為1分鐘及9分鐘的影響，TA-rGO (N2)因還原較為穩定，因此鈉離子的電吸附量較為相近，分別為159.33 μmol Na+/g、166.65 μmol Na+/g，而TA-r

GO (NA) 因開環聚合現象，延長電脫附時間可明顯提升Na+電吸附量，分別為129.89 μmol Na+/g、302.06 μmol Na+/g，TA-rGO之Na+的電吸附量為GAC (83.9 μmol Na+/g)之1.6-3.6倍，顯示多相還原法製成之rGO皆有優於商業活性碳之應用潛力。

Sparse Estimation with Math and Python: 100 Exercises for Building Logic

為了解決Mins的問題，作者Suzuki, Joe 這樣論述：

The most crucial ability for machine learning and data science is mathematical logic for grasping their essence rather than knowledge and experience. This textbook approaches the essence of sparse estimation by considering math problems and building Python programs. Each chapter introduces the no

tion of sparsity and provides procedures followed by mathematical derivations and source programs with examples of execution. To maximize readers’ insights into sparsity, mathematical proofs are presented for almost all propositions, and programs are described without depending on any packages. The

book is carefully organized to provide the solutions to the exercises in each chapter so that readers can solve the total of 100 exercises by simply following the contents of each chapter.This textbook is suitable for an undergraduate or graduate course consisting of about 15 lectures (90 mins each)

. Written in an easy-to-follow and self-contained style, this book will also be perfect material for independent learning by data scientists, machine learning engineers, and researchers interested in linear regression, generalized linear lasso, group lasso, fused lasso, graphical models, matrix deco

mposition, and multivariate analysis.This book is one of a series of textbooks in machine learning by the same Author. Other titles are: Statistical Learning with Math and R (https: //www.springer.com/gp/book/9789811575679)Statistical Learning with Math and Pyth (https: //www.springer.com/gp/book/97

89811578762)Sparse Estimation with Math and R

氧化銦錫對具氧化鉬電洞選擇性接觸層及鋁背表面電場之單晶矽太陽能電池光電特性研究

為了解決Mins的問題，作者趙晉得 這樣論述：

本論文研究氧化銦錫對具氧化鉬電洞選擇性接觸層及鋁背表面電場之單晶矽太陽能電池光電特性研究，藉由導入透明導電材料氧化銦錫作為串接太陽能電池之介面電極，首先將氧化銦錫以濺鍍的方式沉積在具鋁背表面電場之太陽能電池之正面，其改變參數為濺鍍功率、時間及濺鍍工作壓力，接著透過霍爾效應分析儀、紫外光/可見光/近紅外光分光光譜儀、熱電子型場發射掃描式電子顯微鏡及紫外光光電子光譜儀探討氧化銦錫的薄膜特性，進一步，亦將氧化銦錫以濺鍍的方式沉積在具蒸鍍氧化鉬電洞選擇性接觸層之太陽能電池之正面，探討其對元件的光電特性之影響。 實驗結果顯示，在濺鍍功率固定時，光電轉換效率隨著濺鍍時間增加而下降，當濺鍍功率從50

W變動至60 W時，以55 W濺鍍功率其光電轉換效率衰減較小，接著在55 W的濺鍍功率下，探討濺鍍工作壓力的影響，實驗結果顯示，當工作壓力在 7 mTorr時，其光電轉換效率衰減最小，只有-2.44%。經由分光光譜儀檢測，ITO薄膜穿透率其結果為最高可達95%，且透過霍爾效應分析儀可以得知當濺鍍功率為55 W搭配30分鐘條件下，且工作壓力為7 mTorr時其移動率最高為88.2 cm2/Vs，電阻率為0.777 mΩ·cm，光電轉換效率衰減最小，經由熱場發射掃描式電子顯微鏡可得知氧化銦錫薄膜厚度變化為25-100 nm，從紫外光光電子光譜儀量測結果得知氧化銦錫功函數為3.99 eV。接續實驗

為濺鍍氧化銦錫在具蒸鍍氧化鉬電洞選擇性接觸層之太陽能電池之正面，其實驗結果顯示，其特性變化趨勢與具Al背電極之網印式太陽能電池相同，綜合上述實驗可得知，當具氧化鉬電洞選擇性接觸層之單晶矽太陽能電池的表面濺鍍71 nm的氧化銦錫時，其開路電壓為639 mV、短路電流為39.35 mA/cm2、串聯電阻為1.65Ω·cm、填充因子為81.43%與光電轉換效率可達20.50%。