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超人60天特攻本：數位科技概論與應用(112年統測適用)

為了解決33吋cm的問題，作者薛博仁 這樣論述：

　　依據108課綱，升科大/四技/二專必備專書 　　抓住重點、掌握趨勢、精選題目，考前衝刺效率更加倍！ 　　✽60單元好複習：歸納歷年得分重點 60 大單元，輕鬆運用一天一單元的架構，快速完成統測複習。 　　✽趨勢導向看清楚：依照108~111 年統測考題進行統計分析，讓考生清楚統測命題趨勢。 　　✽統測考題即時通：由統測題型重新變化出題，即時透過單元測驗檢視自己的學習狀態。 　　✽專有名詞全收錄：彙整常見專有名詞，一網打盡、迅速吸收。 　　✽單位&計算題大彙整：重要計量單位&計算題一次到位，建構致勝關鍵。 　　✽輕薄小巧好攜帶：比十吋平板還小本，便於攜

帶、隨時複習。 　　✽跨領域加深加廣：運用專業延伸，有效銜接大學課程，跨領域學習創造斜槓歷程。

33吋cm進入發燒排行的影片

利用標準CMOS製程來開發並製作低損耗氮化矽波導

為了解決33吋cm的問題，作者徐子軒 這樣論述：

矽光子學為基於絕緣層上的矽晶片基板平台來實現高密度光子與電子元件積體整合電路的技術，其優勢為能夠整合半導體製程技術達到低成本的優勢，並結合光通訊的高頻寬、長距離傳輸和高抗電磁干擾特性。目前矽光子主要以矽材料為主，但在晶片上需要因應不同的需求，新型材料的研發對拓展矽光子應用領域極為重要。其中針對波導損耗考量，雖然矽的高折射率對比特性能夠實現小尺寸波導結構，但是對製程精準容忍度比較低。許多研究團隊選擇使用氮化矽作為波導的主要材料；在光學特性上氮化矽波導的折射率對比度略低於矽波導，具備較高的製程容忍度以及較低的光學損耗。此外，氮化矽於可見光和近紅外區域的吸收極低，因此能夠實現可見光以及近紅外光積體

光電元件。本研究論文目標為利用國家實驗研究院台灣半導體研究中心齊全的半導體產線來開發氮化矽波導平台並且製作低損耗氮化矽波導，希望藉由改善製程條件跟波導設計來實現低光學損耗特性。製程方面主要針對薄膜沉積跟蝕刻製程進行優化，我們利用三種氣相沉積薄膜機台來成長氮化矽薄膜，並且實際製作氮化矽波導。蝕刻製程則藉由優化蝕刻參數以及氧化濕蝕刻的方法來降低波導側壁的粗糙度，使其更加平滑。接著透過邊緣耦合和光學頻域反射儀兩種方式進行光學損耗量測，來比較不同薄膜下氮化矽波導的光學損耗。由量測結果顯示低壓化學氣相沉積系統於製作厚度為300奈米的氮化矽波導有較佳的光學損耗約3 dB/cm。進一步，我們也設計不同厚度的

單模波導結構，希望藉由扁平波導的設計來降低光於波導內傳播時，由於波導側壁的粗糙所導致的散射損耗。結果顯示300 跟200 奈米厚度氮化矽波導是相近，而100 奈米厚度波導由於量測插入損耗過大，而難以推算出其傳輸損耗。本論文已經成功利用台灣半導體研究中心設備建立氮化矽波導平台，並能夠成功的製作出傳播損耗為2-3 dB/cm的氮化矽波導，未來將會針對熱退火製程以及扁平波導的設計去進一步的降低其光學損耗。

極簡甜點工作室!：手作餅乾、法式點心專門書

為了解決33吋cm的問題，作者呂昇達 這樣論述：

簡單的材料，鑄就純粹的美味 去蕪存菁，剔除一切不必要的， 留下的就是最純粹的美味。   　　✔以最低的「基本操作量」設計而成 　　✔16吋的擠花袋剛好一支，家庭製作超方便 　　✔適合家庭／工作室的俐落手法   　　大略拌勻，讓材料大致分布均勻，還是拌勻到「材料完全融化」？ 　　巧克力加熱是很謹慎的到某個溫度，還是只要呈流動狀即可？ 　　為何使用二砂糖，不用糖粉？原因是什麼？ 　　二砂糖、細砂糖，哪一個比較適合搭配巧克力？ 　　使用即溶咖啡粉，細的跟粗的有什麼不同？ 　　同樣的配方，玉米粉與低筋麵粉的關係是什麼，加與不加的奧秘在哪？ 　　DIY材料的限制是什麼，為什麼老師推薦買現成的？ 　　

在配方中添加什麼材料，才可以讓抹茶的風味更突出？   　　「剔除一切不必要的，極簡再極簡」 　　是家庭製作與工作室製作的共同秘訣。   　　★極簡五誡：   　　❶材料極簡：在追求風味的路上，我們只選用「必要的」， 　　一次只愛一個主題，你絕不會想把所有味道都混在一起。   　　❷作法極簡：取家庭製作與工作室製作之共通秘訣「簡化作法」 　　該喇喇A（簡單拌勻）時，我們絕不認真拌； 　　該完成到精確狀態時，我們也絕不喇喇A。 　　事半功倍的訣竅是在適當的時間，用適當的力量。   　　❸基調極簡：先做一件事——把基本框架說好。 　　先提供「基本架構」，理解了最基礎（原味）的作法，再開始談變化。  

　　❹風味極簡：並非胡亂的改變，只追求有韻律的變化。 　　所有的創新都奠定於基礎，理解基本框架後，我們才開始尋求突破。 　　風味延伸可以在材料混勻階段添加，如抹茶粉、紅茶粉； 　　也可以在裝飾階段點綴，如玉米片、核桃、杏仁果。   　　❺說明極簡：自上千張相片中精選，家庭製作與工作室製作的最佳工具書。 　　剔除重複性高的圖片，保留每個階段的模樣： 　　加入前是如何？拌勻到一半是如何？拌勻完的質地？追求的效果是什麼？ 　　搭配深入淺出的說明，簡單，卻不會看不懂， 　　避開密密麻麻食譜書的壓力，愉快的加入烘焙世界吧～   　　部分單元加碼收錄「產品的比較表&搭配表！」 　　●瓦片的酥脆度

、濃郁度與配方息息相關 　　●很嫩、極嫩、較嫩、比較扎實…… 　　聽膩了虛無飄渺的形容詞嗎？布丁與奶酪系列特別推出「5款配方口感評比」 　　一次性告訴你整個單元的口感評比！ 　　●瑪德蓮不同麵糊之間的混搭技巧、餡料的「連連看搭配法」

反應濺鍍磊晶TiN薄膜緩衝層於(100)矽晶片之製備及其應用於高方向性鑽石膜成長之研究

為了解決33吋cm的問題，作者汪宗辰 這樣論述：

本論文致力於以反應式磁控濺鍍(Reactive Magnetron Sputtering)沉積高導電性之TiN磊晶薄膜於Si(100)基板上，做為緩衝層，並以微波電漿化學氣相沉積法(MPCVD)沉積鑽石薄膜於其上。本論文的第一部分主要探討反應式濺鍍沉積TiN薄膜的參數最佳化。第二部分則藉由不同的偏壓條件以及成長參數來沉積高方向性鑽石薄膜，並探討鑽石成長在TiN/Si(100)之特徵。在TiN製程部分，以兩吋鈦靶作為靶材，並通入氮氣與氬氣的混和氣體濺鍍TiN磊晶薄膜於Si(100)基板上。製程溫度維持於650°C，總流量維持於25 sccm，藉由變更氮氣流量比例、總製程壓力、電漿功率等條件，調

整TiN的磊晶薄膜品質。從X光繞射(XRD)可得知氮氣濃度7%、60W、2  10-3 Torr 可得到最佳的TiN磊晶薄膜，其X光Rocking Curve (XRC) 的TiN(200)的半高寬為1.04°，電阻率為19 μΩ·cm，膜厚為127 nm，原子力顯微鏡(AFM)量測之表面粗糙度約為2.8 nm.在鑽石薄膜成長在TiN/Si之研究，TiN/Si在無其他前處理情形下，以直流偏壓增強成核法(bias-enhanced nucleation, BEN) 與成長兩階段製程，可直接於導電的TiN平坦表面沉積出(001)面之鑽石晶粒。BEN則嘗試以自製之環狀上電極(陽極)以及不同的成核與

成長參數(時間、甲烷濃度)來比較其對鑽石薄膜成長之影響。利用Raman光譜、掃描式電子顯微鏡(SEM)對鑽石膜的鍵結情形與表面形貌進行分析，再以XRD分析其整體結晶取向關係，最後以穿透式電子顯微鏡(TEM)進行其微結構以及界面的探討。結果顯示經由短時間(15分鐘)的BEN (+ 200 V)後，鑽石成核密度達108 cm-2，經由後續30分鐘鑽石成長後，可形成(100)高方向性鑽石(HOD)連續薄膜於TiN/Si(100)上，其(100)鑽石晶粒呈現方形特徵，邊長約為300-400 nm，鑽石的拉曼半高寬為16 cm-1，鑽石晶粒直接與TiN相接，無其他界面層，TiN未受到明顯改變。由XRD極

圖(pole figure)分析，得知其鑽石(100)與TiN(100)之夾角介於1° 至6.5°。再經過30小時長時間成長後，膜厚達13 μm，其軸向成長速率約為 0.4 μm/h，(100)方形鑽石晶粒之邊長增加至2.5 μm，HOD薄膜的合併現象良好，其HOD方形面積比高達95%，且鑽石品質提升，鑽石拉曼半高寬降至4 cm-1，且可測得鑽石(400) XRC，其半高寬約為9°。