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對N型和P型鰭式場效應電晶體特性和可靠度之研究

為了解決楊冪ig的問題，作者嚴子松 這樣論述：

在這次的研究中，我們利用負偏壓下的不穩定性(NBTI)、正偏壓下的不穩定性(PBTI)及熱載子效應(HCE)等施加應力的方式來探討FinFET元件之可靠度，並利用冪次法則(power law，△VTH=Atn)來分析元件退化情形。我們首先利用NBTI的方式來探討P型元件的退化機制，我們發現隨著施給應力時間增加，臨界電壓會越來越負，導致汲極電流衰退，這是因為位能障下三角會下降時電洞容易穿隧進入介電層本體缺陷，使缺陷捕獲之電洞數目較電子來的多。我們也分別利用HCE及PBTI的方式來探討N型元件的退化機制，並分別利用冪次法則來分析臨界電壓對時間的變化。當利用HCE來施與應力時，我們發現最大n值發生

是在VG=0.3VD，代表此時臨界電壓變化受介面缺陷影響最大；但最大的基極電流則發生於VG=VD時，代表此時發生最嚴重的impact ionization現象。此結果與傳統平面結構的MOSFETs元件並不相同。而當利用PBTI來施加應力時，這是因為大電場會使大部分電子經由F-N穿隧(Fowler-Nordheim tunneling)效應穿過介電層，減少缺陷的捕獲，進而使n值降低。