不 二進的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列特價商品、必買資訊和推薦清單

記憶精進：如何成為一名記憶高手

為了解決不 二進的問題，作者 這樣論述：

或許你聽說過理解記憶、繪圖記憶、形象記憶等詞彙，但你一定很少在身邊見到能夠1分鐘內記住一整副撲克牌、5分鐘內記住500個亂數字的記憶高手。那些在舞臺上閃閃發亮的“最強大腦”，到底是天生的記憶奇才，還是習得了某種鮮為人知的記憶秘笈呢？   翻開《記憶精進：如何成為一名記憶高手》，讓國際特級記憶大師甘考源和第25屆世界腦力錦標賽世界總冠軍蘇澤河為你講述腦力高手的記憶訣竅。   這本書不僅講述詞語、數位、英語單詞的記憶方法，還邀請了國內頂尖記憶高手們分享成為記憶大師的真實故事。相信每個人都能從中得到啟發，受到鼓舞。

不 二進進入發燒排行的影片

針對客製化 SAR ADC 之二進位電容陣列佈局自動化

為了解決不 二進的問題，作者姜承佑 這樣論述：

由於其出色的功率效率，逐次逼近寄存器 (SAR) 模數轉換器 (ADC) 是實現低功耗 ADC 設計的一個具吸引力的選擇。在類比佈局設計中，導線、元件間引起的寄生效 應會影響器件的準確度與性能。為了大幅減少電路中的寄生電容，一種一維陣列式橫 向金屬-金屬極小電容單元組成的電容陣列架構已經採用於一些低功耗或高速的 SAR ADC 中。雖然採用這種二進位電容陣列架構的 SAR ADC 可以大大降低功耗與面積， 但由於每個單元電容器的電容值非常小，電路中非預期的寄生電容會顯著影響電容器 的匹配特性和設置時間。本文提出了一個用於合成客製化 SAR ADC 之最佳化二進位 電容陣列的方法。實驗結果也表

明，我們的方法生成的佈局結果之 ENOB 與手動設計 和其他自動化研究相比優化不少。

寂寞舟中誰借問：我們的「人之初」為誰殉葬

為了解決不 二進的問題，作者逸之 這樣論述：

　　作者以一個母親的角度，不想讓她的女兒再經歷「你的前輩們所經歷過的惶恐與無能之感」，乃立下心願，為女兒和同代人寫出他們一代在少年歲月中所經所見的大陸中國。   　　「女兒，抱歉，原本只是想講敘我們一代人中對於『性』與『愛』的感悟，卻不免又牽扯到政治議題。其實身處一個集權一元化的體制中，在集權力圖掌控一切的國度，又有哪件事在集權者眼中真的是閒事？我們一代少年時代的『性』與『愛』釀出的苦酒，又有哪一件不是由於集權與集權制下的紅色教育？那是我們生存的背景與底色。那黯沉的背景下，又能開出幾枝清瑩如玉的愛之花？」

具有五階前饋式等化器之四階振幅脈衝八位元數位類比轉換器之112-Gb/s傳送機於四十奈米CMOS製程

為了解決不 二進的問題，作者林江瑋 這樣論述：

本論文提出之112-Gb/s 四階脈衝振幅調變傳送機，整體架構採用數位轉類比式設計，其優點透過調整數位電路的運算，能靈活地更改訊號的調變模式(本論文設計包含不歸零模式及四階脈衝振幅調變模式)，且能設計出任意數量標記的補償功能，而此次論文之前饋式等化器設計為五個標記，來確保輸出端之補償性。傳送機詳細電路設計分為數位及類比兩部分，數位部分包含偽隨機二進位數列產生器及五標記有限脈衝響應產生器，類比部分包含64:8多工器、8:4多工器、單端轉差動轉換器、4:1多工器、電流模態驅動器、相位內插器、工作週期校正器、四相位除頻器。而本次提出之4:1多工器，有幾個特點，第一，在差動對源極端加入一顆P型電晶體

，以加速差動對電晶體關閉速度來提升頻寬，第二，使用了25%工作週期的脈衝來取樣資料的轉態點，以此降低時脈路徑上的功率消耗。傳送機採用40-nm技術製造，晶片量測時使用晶片直接封裝(Chip On Board, COB)的方式進行量測，晶片面積為0.7482 mm^2，112-Gb/s 四階脈衝振幅調變傳送機各功能皆正常運作，速度操作在最高速112-Gb/s時功耗為268-mW，電源效率為2.39 pJ/bit，而改為不歸零模式時56Gb/s時功耗為247-mW。